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TEOS在室溫常壓下為液態，為了方便CVD製程的使用及製程的穩定性，在使用時對裝盛TEOS的容器加熱(約在40～70℃左右)，以增加其飽和蒸氣壓，以便於以氣態使用TEOS於CVD的沉積反應上。

以TEOS為主的LPCVD-SiO2反應，因為TEOS-SiO2的階梯覆蓋(Step Coverage)能力甚佳，已廣泛的為半導體業界所採用。

TEOS Scrubber利用吸附劑所內含的鉀、鈉或鈣原子，對極性分子產生極強的離子鍵(Ionic Force)產生吸附作用，如二氧化碳、直鏈烷類、長直鏈的醇類等等，也可用在氧氣、氮氣的分離、氣體的乾燥、純化。